Pb掺杂对REOBiS2(RE=La,Yb)电磁性能的影响

• 作者: 兰冬蓉 崔雅静 苏宇峰 赵勇 陈永亮
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: BiS2基超导体 金属—半导体转变
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

利用固相反应法合成了一系列的La1-xPbxOBiS2和LaOBi1-xPbx S2 (x =0,0.01,0.02,0.03,0.05,0.1)样品,并研究了Pb掺杂对LaOBiS2的晶体结构及电磁性能的影响.XRD测试结果表明,所有样品均具有CeO-BiS2型晶体结构,而且Pb的掺杂导致LaOBiS2的晶格发生明显的变化.磁性测量结果表明,所有样品和LaOBiS2的磁性相似,在低温下均为顺磁性特征.尽管Pb在LaOBiS2中掺杂不能导致超导电性的发生,但对其电阻率产生了明显的影响,Pb在La位掺杂抑制了LaOBiS2的金属—半导体转变,使其电阻率在室温以下表现为半导体的特征.同样Pb在YbOBiS2中的掺杂也没观察到超导转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵勇		92	334	11.0	17.0
2	崔雅静		12	6	2.0	2.0
3	陈永亮		10	4	1.0	1.0
4	兰冬蓉		2	0	0.0	0.0
5	苏宇峰		2	0	0.0	0.0