4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析

• 作者: 王中健 陆秋俊
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 超结 4H-SiC 各向异性碰撞电离系数 击穿电压(VB)
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 505-511
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.03.002

摘要

基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性，首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型，并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑。基于该模型，我们对(0001)和(112ˉ0)两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究。与(112ˉ0)晶圆相比，(0001)晶圆的碰撞电离系数较小，可以实现更高的击穿电压VB。由于碰撞电离各向异性，与传统4H-SiC基器件相比，超结器件的二维电场分布可以将(112ˉ0)晶圆器件的击穿电压VB从(0001)晶圆器件的60%提高到72%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆秋俊		15	29	2.0	5.0
2	王中健	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	14	2.0	3.0