一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源

• 作者: 张国俊 张涛 王影 陈远龙
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 高电源抑制比 低噪声 电源抑制比增强级 低通滤波器
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术设计与应用
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2016.03.024

摘要

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比低噪声的带隙基准源。此电路在3.3V电源电压下具有较好的温度系数，-40℃~125℃范围内的温度系数为8.6 ppm/℃，带隙基准电路输出电压约为1.195V。通过在基准中运放加入电源抑制比增强级电路提高中低频范围PSRR性能，在电路输出端再引入低通滤波器电路以提高中高频范围PSRR性能，并且低通滤波器有助于降低整个电路的噪声。采用Spectre软件进行仿真，结果显示，电源抑制比为-130.4@dc，-77.6@100KHz，输出噪声为24.8nV@100KHz。该带隙基准源电路非常适合于应用在高电源电压抑制比、低噪声的LDO电路中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	57	231	8.0	11.0
2	张涛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	24	81	5.0	7.0
3	陈远龙	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	17	3.0	4.0
4	王影	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	9	25	4.0	4.0