退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响

• 作者: 吴崎 董承远 许玲
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶铟钨氧 薄膜晶体管 退火温度 氧空位 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 457-462
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2736字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163704.0457

摘要

非晶铟钨氧( a-IWO)薄膜晶体管( TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外,a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200℃下退火达到最佳,我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董承远	上海交通大学电子工程系	12	28	4.0	5.0
2	许玲	上海交通大学电子工程系	2	4	1.0	2.0
3	吴崎	上海交通大学电子工程系	1	3	1.0	1.0