Co/ITO电极检测谷胱甘肽的研究

• 作者: 吕勇智 蹇俊杰 黄淑英
• 来源期刊: 福建分析测试
• 学科: 化学
• 关键词: 纳米钴 离子注入 修饰电极 谷胱甘肽
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 7-13
• 页数: 7页
• 分类号: O657.7
• 字数: 2430字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-8143.2016.03.02

摘要

采用离子注入的方法,将钴离子(Co)直接注入到氧化铟锡(ITO)导电玻璃电极表面,制得纳米钴修饰电极(Co/ITO).通过循环伏安法(CV)、X-射线光电子能谱法(XPS)以及扫描电子显微镜(SEM)等方法对纳米钴修饰电极表面进行了表征.以Co/ITO为工作电极,在0.1 mol L-1NaOH溶液中,峰电流与谷胱甘肽(GSH)浓度在1.0× 10-7 mol·L-1～2.0×10-6mol·L-1之间呈线性关系,检出限为1.0×10-7 mol·L-1.纳米钴修饰电极还体现了良好的稳定性和重现性,可用于实际样品中谷胱甘肽的检测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄淑英		3	1	1.0	1.0
2	吕勇智	中国刑事警察学院法化学系	4	6	1.0	2.0
3	蹇俊杰		1	1	1.0	1.0