电感耦合等离子体刻蚀GaN材料的工艺研究

• 作者: 任远 刘久澄 刘宁炀 刘晓燕 陈志涛
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 电感耦合等离子体刻蚀 GaN 刻蚀速率 选择比 直流偏压
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺与装备
• 页码范围: 214-218,232
• 页数: 6页
• 分类号: TN405.98
• 语种: 中文

摘要

为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体(ICP)方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数,对ICP刻蚀GaN材料的速率、GaN与光刻胶选择比及直流偏压的变化做了系统地研究,得到了台面刻蚀的最优参数.使用光刻胶作为掩模刻蚀了1.837 μm深度的GaN材料样品,表面的光刻胶平整光滑;刻蚀台阶整齐连续,刻蚀倾角控制在75°以内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志涛		10	29	3.0	4.0
2	刘久澄		5	9	2.0	2.0
3	刘晓燕		4	7	2.0	2.0
4	任远		3	7	2.0	2.0
5	刘宁炀		7	9	2.0	2.0