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摘要:
利用传输矩阵法研究了含向列相液晶缺陷层的1维阶梯型双周期第4代准周期结构缺陷模的电场方向调控特性.分析了外加电场方向和正入射波方向间夹角θ与缺陷模波长的位置、品质因子、空间位置光场分布的变化关系,探讨了缺陷模的品质因子对光场强度的影响.结果表明:随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的位置向短波方向移动,缺陷模波长的调控量为84 nm;随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的品质因子逐渐增大;缺陷模在空间位置的光场分布呈现出局域现象,随夹角θ的增大,空间位置的光场强度逐渐增强;缺陷模的品质因子与光场强度成正比关系.
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文献信息
篇名 含液晶缺陷层阶梯型双周期结构的电场方向调控特性
来源期刊 量子电子学报 学科 物理学
关键词 光的电磁理论 阶梯型双周期结构 缺陷模 传输矩阵法 光场分布 品质因子
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 基础光学
研究方向 页码范围 135-139
页数 分类号 O431.1
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2016.02.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢应茂 赣南师范学院物理与电子信息学院 54 135 6.0 8.0
5 廖昆 赣南师范学院物理与电子信息学院 5 9 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
光的电磁理论
阶梯型双周期结构
缺陷模
传输矩阵法
光场分布
品质因子
研究起点
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量子电子学报
双月刊
1007-5461
34-1163/TN
大16开
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26-89
1984
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