SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析

• 作者: 冯松 高勇
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上锗硅 微环谐振器 滤波特性 耦合系数
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 443-448
• 页数: 6页
• 分类号: TN252
• 字数: 2190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19322/j.cnki.issn.1006-4710.2016.04.012

摘要

SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数，研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能，分析了 SiGe-OI微环谐振器的滤波特性，以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI微环谐振器模型，主要对其结构参数、耦合系数、3 dB带宽和消光比等参数进行了分析，仿真了波导宽度、耦合间距、波长与耦合系数的关系，以及耦合系数对3 dB带宽和消光比的影响。最终给出了耦合系数的范围以及不同耦合系数下的滤波特性，为SiGe-OI微环谐振器的研究提供了理论参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安工程大学理学院	189	1184	15.0	26.0
5	冯松	西安工程大学理学院	7	13	2.0	3.0