ITO薄膜的研究进展

• 作者: 祖成奎 邱阳 金扬利 陈玉峰
• 来源期刊: 现代技术陶瓷
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 物理性能
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 303-324
• 页数: 22页
• 分类号: O484
• 字数: 12255字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2016.02.014

摘要

ITO是锡掺杂氧化铟薄膜的简称，属于透明导电氧化物材料。常规沉积方法制备的ITO薄膜通常为非晶态或体心立方晶系晶体，为n型半导体材料，其载流子为自由电子，主要来源于沉积过程中薄膜化学计量比偏离或阳离子掺杂形成的施主杂质。ITO 薄膜是当前研究和使用最为广泛的透明导电氧化物薄膜材料，由于具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射率等独特物理特性而被大量应用于平板显示器、太阳能电池、发光二极管、气体传感器、飞机风挡玻璃除霜器等领域。此外，ITO薄膜对微波还具有高达85%的衰减作用，因而在电磁屏蔽等军用领域显示出巨大的潜在应用价值。过去几十年里，针对ITO薄膜的研究工作主要聚焦于薄膜的光电性能上。当前，伴随着ITO薄膜的应用范围在航空航天和军用武器装备等领域的拓展，ITO 薄膜在恶劣力学环境中的使用日渐增多。因此，除光电性能外，ITO 薄膜的力学性能也开始受到研究者越来越多的关注，人们对薄膜器件在各类恶劣使用环境中的稳定性及耐久性提出了更高的要求，这一要求使得对ITO薄膜力学性能的深入研究分析有了重要的理论及实际意义。本文综述了近年来ITO薄膜在微结构特性、能带结构、光电性能及力学性能等方面的研究进展，简略探讨了ITO薄膜的研究发展方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖成奎		45	202	7.0	12.0
2	金扬利		11	37	4.0	5.0
3	陈玉峰		20	122	6.0	10.0
4	邱阳		11	30	4.0	5.0