Al0.26Ga0.74As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析

• 作者: 刘健 周勋 周海月 王一 王继红 罗子江 赵振 郭祥 魏文喆
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 扫描隧道显微镜 退火时间 半平台扩散模型
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 477-481
• 分类号: TN3|O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.04.18

摘要

采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al0.26Ga0.74As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min.利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al0.26Ga0.74As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al0.26Ga0.74As/GaAs表面形貌特点.在40 min的热退火后,Al0.26Ga0.74As/GaAs表面完全熟化.本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al0.26Ga0.74As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al0.26Ga0.74As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致.