基于130 nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态加固技术研究

• 作者: 周国昌 巨艇 张健 王轩 赖晓玲
• 来源期刊: 空间电子技术
• 关键词: 触发器 单粒子翻转 单粒子瞬态 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 通信与导航
• 页码范围: 63-67
• 页数: 5页
• 字数: 2726字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2016.03.012

摘要

在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并从触发器的电路结构和物理版图出发,提出了一种基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的触发器单元加固设计方法。并结合设计方法,实现了抗辐射加固触发器的设计,通过仿真分析验证了设计的正确性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周国昌		20	50	4.0	5.0
2	张健		12	45	3.0	6.0
3	赖晓玲		16	29	3.0	4.0
4	巨艇		13	34	3.0	4.0
5	王轩		6	4	1.0	1.0