场板结终端对金刚石SBD内部电场分布及击穿特性的影响

• 作者: 张景文 王侠 王晓亮 王进军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场板结终端 金刚石SBD 电场分布 击穿电压
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 432-438
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163704.0432

摘要

建立了场板结终端对金刚石肖特基势垒二极管( SBD)的数值模拟模型，采用Silvaco软件中的器件仿真工具ATLAS模拟了场板长度L、绝缘层厚度TOX、衬底掺杂浓度NB、场板结构形状对器件内部电场分布以及击穿电压的影响，并对结果进行了物理分析和解释。结果表明：当TOX =0.4μm、NB =1015 cm-3、L在0~0.2μm范围内时，击穿电压随着L的增加而增加；L>0.2μm后，击穿电压开始下降。当L=0.2μm、NB =1015 cm-3、TOX在0.1~0.4μm范围内时，击穿电压随着TOX的增加而增加；TOX >0.4μm后，击穿电压开始下降。当L=0.2μm、TOX =0.4μm、NB =1015 cm-3时，器件的击穿电压达到最大的1873 kV。与普通场板结构相比，采用台阶场板可以更加有效地提高器件的击穿电压。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	西安交通大学陕西省信息光电子技术重点实验室	38	212	9.0	12.0
3	王侠	西安科技大学电气与控制工程学院	16	32	3.0	4.0
4	张景文	西安交通大学陕西省信息光电子技术重点实验室	20	109	7.0	9.0
5	王进军	西安交通大学陕西省信息光电子技术重点实验室	14	24	3.0	4.0