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单轴应变下CaO和SrO电子结构和光学性质的第一性原理研究
单轴应变下CaO和SrO电子结构和光学性质的第一性原理研究
作者:
姚倩倩
李实
梁凯
申洁
赵辉
邢美静
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CaO晶体
SrO晶体
第一性原理
单轴拉应变
单轴压应变
电子结构
光学性质
摘要:
为探究不同单轴应变条件对碱土金属氧化物CaO和SrO晶体材料电子结构和光学性质的影响,采用第一性原理计算方法,利用密度泛函近似理论,对晶体的能带结构、态密度和介电函数进行计算,并利用克喇末-克朗尼格关系得出晶体的光学常数.研究结果表明:无应变时,CaO和SrO晶体是宽禁带且具有直接带隙的绝缘体,施加单轴应变使晶体带隙的宽度变窄,导电性能增强,且单轴压应变对晶体电子结构的影响比拉应变对晶体电子结构影响向明显.2种晶体均为各向同性材料,单轴拉应变使静介电常数变大,单轴压应变使静介电常数变小.光子能量在0~15 eV时,2种材料折射率、吸收系数和反射率等光学谱的峰位和峰值均受单轴应变的影响较大,单轴拉应变使得各光学谱的峰位向能量低的方向移动,峰值升高;单轴压应变使得光学谱的峰位向能量高的方向移动,峰值降低.同时单轴拉应变使晶体静态介电常数和静折射率增大,压应变使之降低.研究表明单轴应变可以有效调节CaO和SrO的电子结构和光学性质.
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文献信息
篇名
单轴应变下CaO和SrO电子结构和光学性质的第一性原理研究
来源期刊
天津师范大学学报(自然科学版)
学科
物理学
关键词
CaO晶体
SrO晶体
第一性原理
单轴拉应变
单轴压应变
电子结构
光学性质
年,卷(期)
2016,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
21-27
页数
7页
分类号
O482.31
字数
4840字
语种
中文
DOI
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作者信息
序号
姓名
单位
发文数
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1
赵辉
天津师范大学物理与材料科学学院
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申洁
天津师范大学物理与材料科学学院
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邢美静
天津师范大学物理与材料科学学院
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梁凯
天津师范大学物理与材料科学学院
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姚倩倩
天津师范大学物理与材料科学学院
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李实
天津师范大学物理与材料科学学院
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CaO晶体
SrO晶体
第一性原理
单轴拉应变
单轴压应变
电子结构
光学性质
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
天津师范大学学报(自然科学版)
主办单位:
天津师范大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1671-1114
CN:
12-1337/N
开本:
大16开
出版地:
天津市西青区宾水西道393号
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
1830
总下载数(次)
3
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7993
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