基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计

• 作者: 沈婧 薛海卫
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM加固 DICE 分离位线 单粒子翻转
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2163字
• 语种: 中文

摘要

存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节.经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转,但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差.提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力.同时,对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法,解决锁存器发生SEU的问题.该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子翻转能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛海卫		12	23	3.0	4.0
2	沈婧		1	5	1.0	1.0