沟槽肖特基二极管工艺研究

• 作者: 周卫平 王西政 陈惠明
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 侧墙 多晶回刻 ONO结构 Pt基势垒金属合金
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 3142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.08.005

摘要

随着国家对新能源电子产品的大力扶持,各种节能型电子产品日益壮大,其中沟槽型肖特基二极管相比于平面型具有不可比拟的优势,最近备受青睐.结合六英寸生产线的工艺能力,通过设计沟槽,优化多晶回刻,引入ONO层间介质和控制Pt基势垒金属合金,创新地建立一套沟槽SBDT艺平台,生产出沟槽型肖特基二极管,其参数性能已经达到或超过业内同类产品水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周卫平		5	10	2.0	3.0
2	陈惠明		2	2	1.0	1.0
3	王西政		1	2	1.0	1.0