SiC功率器件应用现状及发展趋势

• 作者: 唐威 李彦涌 漆宇 胡家喜 范伟
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带材料 碳化硅 功率半导体器件 大功率变流器
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 综述·评论
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.001

摘要

典型的宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具备击穿场强高、饱和电子漂移速率快及热导率高等特性,能满足现代功率器件在大功率场合、高频高温工况下应用的发展需求.本文以开关电源、电动汽车、新能源发电、轨道交通和智能电网等应用领域为背景,对SiC功率器件的应用现状和发展趋势进行了分析.结果表明,SiC功率器件的应用有利于变流器系统功率密度和整体效率的提升,具备替代硅材料半导体器件的潜质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李彦涌		10	0	0.0	0.0
2	范伟		7	0	0.0	0.0
3	唐威		2	0	0.0	0.0
4	漆宇		1	0	0.0	0.0
5	胡家喜		1	0	0.0	0.0