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摘要:
首先分析了配置SRAM在SRAM型FPGA中的作用,介绍了配置SRAM的单元结构及在设计中的要点.设计实现了一种基于65 nm工艺的SRAM结构,并针对读写能力、功耗、噪声给出相应的仿真结果.此电路结构具有低功耗、抗噪声能力强的优点,已被应用于FPGA设计中并流片成功.
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文献信息
篇名 FPGA配置SRAM设计技术
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 现场可编程门阵列 配置SRAM 静态噪声容限 读稳定性
年,卷(期) 2016,(3) 所属期刊栏目 电路设计
研究方向 页码范围 20-22
页数 3页 分类号 TN402
字数 681字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张艳飞 3 3 1.0 1.0
2 耿杨 3 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
现场可编程门阵列
配置SRAM
静态噪声容限
读稳定性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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