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FPGA配置SRAM设计技术
FPGA配置SRAM设计技术
作者:
张艳飞
耿杨
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
现场可编程门阵列
配置SRAM
静态噪声容限
读稳定性
摘要:
首先分析了配置SRAM在SRAM型FPGA中的作用,介绍了配置SRAM的单元结构及在设计中的要点.设计实现了一种基于65 nm工艺的SRAM结构,并针对读写能力、功耗、噪声给出相应的仿真结果.此电路结构具有低功耗、抗噪声能力强的优点,已被应用于FPGA设计中并流片成功.
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相关学者/机构
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
FPGA配置SRAM设计技术
来源期刊
电子与封装
学科
工学
关键词
现场可编程门阵列
配置SRAM
静态噪声容限
读稳定性
年,卷(期)
2016,(3)
所属期刊栏目
电路设计
研究方向
页码范围
20-22
页数
3页
分类号
TN402
字数
681字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
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姓名
单位
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张艳飞
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现场可编程门阵列
配置SRAM
静态噪声容限
读稳定性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子与封装
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
开本:
大16开
出版地:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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