氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO：Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响

• 作者: EVARIST Mariam 倪晓昌 李彤 王铁钢 范其香 赵新为 陈佳楣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: NiO Cu掺杂 异质pn结 磁控溅射 整流特性
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 416-421
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|TB303
• 字数: 3853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163704.0416

摘要

利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO：Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO：Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对于纯氩溅射,引入一定氧气( O2/( Ar+O2)比例为30%)后,NiO：Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时,NiO：Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO：Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善,薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量,直到O2/( Ar+O2)比例至80%后,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多,进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李彤	天津职业技术师范大学电子工程学院	18	16	3.0	3.0
2	赵新为	天津职业技术师范大学电子工程学院	6	5	1.0	2.0
3	倪晓昌	天津职业技术师范大学电子工程学院	37	62	4.0	5.0
4	王铁钢	天津职业技术师范大学天津市高速切削与精密加工重点实验室	33	28	3.0	4.0
5	范其香	天津职业技术师范大学天津市高速切削与精密加工重点实验室	12	2	1.0	1.0
6	EVARIST Mariam	天津职业技术师范大学电子工程学院	3	1	1.0	1.0
7	陈佳楣	天津职业技术师范大学电子工程学院	4	2	1.0	1.0