Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展

• 作者: 吕奇峰 张望 杨富华 王昊 韩伟华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 Ⅲ-Ⅴ族纳米线 垂直结构 水平结构 硅基衬底
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 87-97
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.02.003

摘要

从器件结构和电学特性等方面,对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述.对于垂直器件,虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得,但栅极的逻辑布线难以实现;对于水平结构器件,虽然栅极的逻辑布线与当前的平面硅差异不大,但无催化剂条件下难以选区定位生长水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线.硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管不仅能有效提高沟道迁移率等性能,而且可以保证与硅工艺的兼容性,同时降低Ⅲ-Ⅴ族材料晶体管高昂的成本.研究表明,水平结构的硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管将具有更大的发展潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王昊	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	65	409	9.0	19.0
2	韩伟华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	20	98	5.0	9.0
3	张望	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	4	12	2.0	3.0
4	杨富华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	49	227	9.0	14.0
5	吕奇峰	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	3	3	1.0	1.0