相场模拟斜切基底界面应力集中对PbTiO3薄膜畴翻转的影响

• 作者: 周益春 汤济宇 蒋丽梅 郭莉莉
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁电薄膜 界面效应 相场模拟 斜切基底
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚态物理和材料科学
• 页码范围: 40-47,86
• 页数: 9页
• 分类号: O341
• 字数: 4971字
• 语种: 中文

摘要

为提高铁电薄膜的电性能,建立了一个相场理论模型,系统研究了斜切基底对铁电薄膜电畴结构及电学性能的调控机理.利用该模型,分别研究了PbTiO3在平面基底和倾角为2°,4°,6°SrTiO3斜切基底上的电学性能.模拟结果表明:生长在斜切基底上的铁电薄膜中的应力分布、电畴结构及畴翻转不同于生长于平面基底上的铁电薄膜.在斜切基底的束缚作用下,铁电薄膜内靠近斜切台阶处产生了应力集中,产生的非均匀应变是改变铁电薄膜性质的主要因素.在台阶高度固定的情况下,PbTiO3铁电薄膜矫顽场随斜切基底的倾角增大而变大,极化稳定性增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周益春	湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室	108	552	11.0	21.0
2	蒋丽梅	湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室	8	7	2.0	2.0
3	汤济宇	湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	郭莉莉	湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0