降低CCD转移驱动电压摆幅仿真技术研究

• 作者: 李立 王小东
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 驱动电压 摆幅 仿真
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 618-621
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.05.004

摘要

降低CCD的转移驱动电压摆幅对于减小器件的功耗有着积极的作用.通过对CCD电荷转移过程的原理进行分析,建立了CCD转移驱动电压摆幅的仿真模型,并从势垒注入、多晶硅电极间隙、栅介质层厚度等方面进行了仿真分析,找出了影响CCD转移驱动电压摆幅的关键因素,同时利用该模型得到了降低CCD转移驱动电压摆幅的优化条件.最后采用仿真结果进行了流片验证,CCD的驱动电压摆幅由原来的7V降低到了4V,验证了仿真结果的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李立		6	2	1.0	1.0
2	王小东		2	1	1.0	1.0