NiO纳米线阵列紫外光电特性

• 作者: 王鑫 相文峰 蔡天宇 赵重阳 黄晓炜
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外光探测器 NiO/Ni壳层纳米线 纳米线阵列 紫外光电效应 响应度
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 98-101
• 分类号: TB383|TL814
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.02.004

摘要

通过电化学沉积及退火处理制得NiO纳米线,并制备出了NiO纳米线阵列紫外光电导探测器.扫描电子显微镜测试发现制备出的纳米线非常均匀,长度约为50肛m.X射线衍射测试表明氧化退火后形成的NiO是多晶立方相结构;同时,Ni纳米线并没有被完全氧化,而是形成了一个NiO/Ni壳层结构.在外加1V偏压下,暗电流为0.92μA,光电流为19.1 μA,光电流约是暗电流的20倍;在0.3 mA偏流下,探测器的暗电压约为紫外光照下光电压的2.5倍,响应时间为1.6s,延迟时间为6 s.探测器光暗电压差在0～1.1 W/cm2光照强度范围内是线性变化的,响应度为6.4 V/W.同时,探讨了NiO/Ni壳层纳米线阵列的光电效应工作机理.