c轴取向钒酸铋铁电薄膜的制备及电学性能

• 作者: 唐晓山 谢伟 邹长伟
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 化学溶液沉积法 钒酸铋 择优取向 铁电薄膜
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 176-180
• 页数: 5页
• 分类号: O482.3
• 语种: 中文

摘要

采用旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi2VO5.5铁电薄膜,研究退火温度对薄膜物相结构、表面形貌、电学性能的影响.500,550,600,700℃退火所得薄膜均表现出c轴取向,且c轴取向度随温度升高而增加,同时薄膜的介电常数增加,介电损耗略有降低,低频色散现象略有减弱.700℃退火所得Bi2VO5.5薄膜剩余极化值约为1.71 μC/cm2,矫顽场为127.8 kV/cm,且薄膜在可见光区有较好的吸收,光学带隙约为2.41 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢伟	岭南师范学院物理科学与技术学院	6	4	1.0	1.0
2	唐晓山	岭南师范学院物理科学与技术学院	6	27	1.0	5.0
3	邹长伟	岭南师范学院物理科学与技术学院	9	10	2.0	3.0