基于高压SiC MOSFET的高效谐振全桥变换器研究

• 作者: JohnMookken 刘学超 马卓斌 黄建立
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 谐振全桥变换器 零电压开关 高功率密度 高效率
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 变流与控制
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TM46|TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.004

摘要

对谐振全桥变换器而言,利用SiC MOSFET能提高开关频率,达到增大功率密度、降低系统成本、提高效率及简化拓扑电路的目的.文章研究了一种基于第三代SiC MOSFET的零电压(ZVS)LLC谐振全桥DC/DC变换器,利用Cree公司1 000 V/65 mΩ高压SiC MOSFET设计出高频、高功率密度20 kW ZVS LLC谐振隔离全桥变换器并进行了样机研制.实验结果表明,该变换器的开关频率范围扩大到180 kHz至400 kHz,最高效率可达到98.4％.该方案能广泛应用于高压直流电源、感应加热、电动汽车充电等三相隔离新能源领域.