氧流量对电子束蒸发ITO薄膜特性影响的研究

• 作者: 任远 刘久澄 刘宁炀 刘晓燕 张康 陈志涛 黄朝辉
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 氧流量 电子束蒸发 ITO 电阻率 透过率
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 167-170
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

研究电子束蒸发ITO过程中,氧流量对制备的ITO薄膜形貌以及电阻率的影响,并分析了其影响的机理.结果表明,在保持温度、真空度、转速和生长速率不变的条件下,氧流量为2 sccm时,制备的ITO薄膜最优,其电阻率为2.2×104Ω·cm,在450～460 nm处的透过率超过98％,折射率为1.7.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张康		2	5	2.0	2.0
2	陈志涛		10	29	3.0	4.0
3	刘久澄		5	9	2.0	2.0
4	刘晓燕		4	7	2.0	2.0
5	任远		3	7	2.0	2.0
6	刘宁炀		7	9	2.0	2.0
7	黄朝辉		1	2	1.0	1.0