BaO掺杂对单畴GdBCO超导块材性能的影响

• 作者: 张明 杨万民 杨芃焘 王妙 王小梅 胡成西
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单畴GdBCO超导块材 磁悬浮力 捕获磁通密度 临界温度
• 年，卷（期）: 2016,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 287-295
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.227401

摘要

采用改进后的顶部籽晶熔渗生长(M-TSIG)工艺,通过在固相先驱粉体中掺杂不同含量的BaO来有效地抑制GdBCO样品生长过程中出现的Gd/Ba替换现象,从而成功地制备出了一系列单畴GdBCO超导块材,并且对样品的宏观形貌、磁悬浮力、捕获磁通密度及临界温度等超导性能进行了研究.结果表明,随着BaO掺杂量的增加,样品的熔化温度(Tm)及包晶反应温度(Tp)均出现逐渐降低的趋势;同时,当样品中BaO的添加量在2 wt％-4 wt％时,可以在一定的程度上有效提高GdBCO样品的磁悬浮力、捕获磁通密度及临界温度等超导性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨万民	陕西师范大学物理学与信息技术学院	48	104	6.0	8.0
2	张明	西安航空学院理学院	6	9	2.0	2.0
3	王妙	西安航空学院理学院	6	7	2.0	2.0
4	王小梅	西安航空学院理学院	9	5	1.0	2.0
5	杨芃焘	陕西师范大学物理学与信息技术学院	3	2	1.0	1.0
6	胡成西	西安航空学院理学院	1	1	1.0	1.0