SiC混合功率模块封装工艺

• 作者: 徐文辉 王立 陈云
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 功率模块 回流 键合 点胶 灌胶
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 1-3,8
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3485字
• 语种: 中文

摘要

SiC(碳化硅)材料作为第三代半导体材料,具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点,因此,SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能.基于此,同时为了实现模块的自主可控化,将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代,制作SiC混合功率模块.主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序:回流、铝线键合、点胶、灌胶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐文辉		1	1	1.0	1.0
2	陈云		2	1	1.0	1.0
3	王立		2	1	1.0	1.0