高阻硅衬底集总参数功分器设计

• 作者: 刘勇 刘建勇 王光池 陈兴国
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: 集总参数 无源器件 功分器 高阻硅
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术设计与应用
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 字数: 1185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2016.03.012

摘要

文章介绍了高阻硅衬底集成无源器件技术，分析了功分器等效集总参数模型，并设计了一款9.5-9.9GHz的高阻硅衬底集总参数Wilkinson功分器。基于ADS软件，可对功分器版图进行仿真优化设计。该款功分器尺寸<1×0.5mm2，插损<0.5dB、隔离度>20dB、回波损耗>20dB。由于采用高阻硅衬底集成无源器件技术，功分器尺寸小、性能优越，且具有批量生产优势，应用前景广泛。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈兴国	中国电子科技集团公司第三十八研究所	17	56	4.0	7.0
2	刘勇	中国电子科技集团公司第三十八研究所	32	121	6.0	9.0
3	刘建勇	中国电子科技集团公司第三十八研究所	12	19	2.0	4.0
4	王光池	中国电子科技集团公司第三十八研究所	5	10	1.0	3.0