抑制表面场增强提高相对论返波管功率容量

• 作者: 刘彦升 孙钧 张余川 张晓微 曹亦兵 白现臣 邵浩 陈昌华
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 相对论返波管 表面场增强 射频击穿 功率容量
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 94-97
• 页数: 4页
• 分类号: TN125
• 字数: 1999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.033019

摘要

相对论返波管(RBWO)高频结构表面微凸起结构导致的表面场致电子发射会加速或加剧射频击穿过程,引起RBWO功率容量下降.为提高现有RBWO的功率容量,给出了RBWO高频结构表面场增强的抑制方法,对一种X波段RBWO表面进行了精密工艺处理后,将表面粗糙度降低至未经表面精密处理时的1/40以下,有效降低了高频结构表面场增强因子,减小了结构表面场致发射电子的能力.进一步开展的高功率微波实验研究表明,抑制表面场增强后X波段RBWO的功率容量提高了25％.