全烧结型SiC功率模块封装设计与研制

• 作者: 吴义伯 戴小平 王彦刚 赵义敏
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 功率模块 封装设计 低温银烧结 低电感
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 36-40,74
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.007

摘要

针对功率模块高可靠性、宽工作温度范围(-60℃～200℃)的应用特点,研制了一种基于全烧结技术的无键合线、无底板、紧凑型平面SiC功率模块,讨论了SiC模块封装设计及低电感柔性PCB互连技术;为了提高功率模块的可靠性及耐高温性能,采用低温银烧结技术替代传统钎焊焊接工艺,所研制功率模块搭载了SiC JFET和SiC SBD芯片组.测试结果表明,所研制的SiC功率模块具有良好的开关性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴小平		4	0	0.0	0.0
2	吴义伯		2	0	0.0	0.0
3	赵义敏		1	0	0.0	0.0
4	王彦刚		3	0	0.0	0.0