沟槽栅MOSFET器件SPICE模型

• 作者: 刘斯扬 刘超 孙伟锋 张春伟
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽栅MOSFET SPICE模型 漂移区电阻模型 动态模型
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 408-414
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 362字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2016.04.003

摘要

针对沟槽栅纵向双扩散场效应晶体管( trench-gate MOSFET)，提出了一种新型的SPICE模型。通过对沟槽栅MOSFET器件的物理特性及其内在结构分析，建立了漂移区电阻模型。为了准确模拟器件的动态特性，对栅源电容、栅漏电容及源漏电容分别建立了模型。考虑了器件的自热效应、温度效应及击穿特性，建立了自热模型和击穿电压模型，并对模型温度参数进行了修正。通过器件测试结果验证，各参数测试结果和对应模型的仿真结果误差均小于5%。因此，该模型能准确地反映器件的静态和动态特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	张春伟	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	8	18	3.0	4.0
4	刘超	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	24	59	4.0	6.0