商用0.18μm CMOS工艺抗总剂量辐射性能研究

• 作者: 吴建伟 寇春梅 洪根深 谢儒彬
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 商用工艺 总剂量 辐射 MOSFET
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 1632字
• 语种: 中文

摘要

对国内标准商用0.18μm工艺MOSFET和电路进行总剂量效应研究.其STI隔离区域二氧化硅在总剂量达到50k rad(Si)时,端口3.3 V NMOS晶体管漏电达到了10-9A级,达到100k rad(Si)以上时,内核1.8VNMOS晶体管出现场区漏电.通过电路总剂量辐照试验,表明NMOS晶体管是薄弱点.需要开发STI场区总剂量加固技术,以满足抗辐射电路研制要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	吴建伟		25	39	4.0	4.0
3	谢儒彬		9	22	3.0	4.0
4	寇春梅		5	4	1.0	2.0