方波脉冲下纳米氧化硅掺杂对聚酰亚胺绝缘性能的影响

• 作者: 刘洋 吴广宁 张血琴 高国强
• 来源期刊: 高压电器
• 关键词: PI/SiO2纳米复合膜 双极性方波电压 击穿电压 电晕老化 纳米复合结构
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 73-78,85
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13296/j.1001-1609.hva.2016.01.013

摘要

聚酰亚胺纳米复合薄膜(polyimide,PI)广泛应用于电机绝缘.方波脉冲下的局部放电是变频电机绝缘失效的主要原因之一.为了研究高频脉冲电压下PI膜的老化,探讨纳米粒子在PI膜中的作用机理,文中将粒径为30 nm的SiO2无机填料掺杂到PI膜中.利用场发射扫描电镜(SEM)观察纳米SiO2在PI膜中的分散情况,并在方波脉冲电压下对复合薄膜进行了耐压和耐电晕实验,最后运用纳米复合3层结构解释了PI膜绝缘破坏的过程.研究结果表明:纳米粒子均匀分散到PI基体中,纳米SiO2的加入可以提高PI膜的电导率和介电常数,影响电子迁移率;PI/SiO2膜耐压特性随着SiO2纳米粒子体积分数的增加先增强后减小,在体积分数为5％时达到最大值.耐电晕特性随着SiO2纳米粒子体积分数增加而上升.SiO2纳米粒子会在试样中产生大量的有机—无机界面以及复合结构,影响了电子在介质中的作用机理,导致PI膜绝缘性能发生改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴广宁		458	6939	39.0	56.0
2	张血琴		49	680	12.0	26.0
3	高国强		98	908	19.0	27.0
4	刘洋		63	327	10.0	16.0