FET/pHEMT器件寄生电阻的精确测量

• 作者: 刘章文 王海平
• 来源期刊: 计量技术
• 关键词: FET 小信号模型 参数提取 剥离
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 测量与设备
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 字数: 1588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0771.2016.01.09

摘要

介绍了一种精确、高效的FET/pHEMT器件模型的寄生电阻及零偏置沟道电阻的测量方法.该方法仅凭器件漏端零偏置的简化模型的直流特性,就能测出寄生电阻和沟道电阻.因此能够对器件沟道质量作出初步评估,为器件的整个模型参数的提取走出关键的一步.该方法提取过程具有清晰的物理意义,通过对器件的测试结果显示,该方法效率高,评估结果与厂家一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘章文		3	7	2.0	2.0
2	王海平		1	0	0.0	0.0