基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
通过研究Geant4程序的中子输运模型与反应截面库,构建热中子至20 MeV中子的输运过程,为验证Geant4中子输运过程的正确性,通过建立中子监测模型,再根据监测模型设计试验装置,最后将试验装置放入中子参考辐射场中进行测试验证.模拟与实验结果表明:试验装置在241Am-Be中子源和252Cf源中子参考辐射场中测试结果最大误差为2.5%.
推荐文章
Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤
中子
碳化硅
位移损伤
Geant4
SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟
中子
单粒子翻转
Gcant4
特征尺寸
临界电荷
Geant4在中子辐射效应中的应用
中子辐射效应
电离能量沉积
非电离能量沉积
原子空位
γ全吸收型探测装置中子束流监视器的Geant4模拟
γ全吸收型探测装置
中子监视器
Geant4
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 基于Geant4模拟中子输运过程及建立中子监测模型
来源期刊 计量学报 学科 工学
关键词 计量学 Geant4 中子输运 中子监测模型
年,卷(期) 2016,(z1) 所属期刊栏目 电离辐射计量
研究方向 页码范围 48-53
页数 6页 分类号 TB98
字数 4656字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-1158.2016.z1.11
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许照乾 9 13 3.0 3.0
2 宋嘉涛 2 0 0.0 0.0
3 毛定立 8 33 2.0 5.0
4 杨易航 1 0 0.0 0.0
5 尹毓才 1 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1978(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2014(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2016(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
计量学
Geant4
中子输运
中子监测模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
计量学报
月刊
1000-1158
11-1864/TB
大16开
北京1413信箱
2-798
1980
chi
出版文献量(篇)
3549
总下载数(次)
8
总被引数(次)
20173
论文1v1指导