GIS拐弯段的补偿电容研究

• 作者: 吴恒天 崔翔 金银燮
• 来源期刊: 高压电器
• 关键词: L型GIS结构 补偿电容 时域有限差分法 传输线方法 特快速瞬态过电压
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 79-85
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13296/j.1001-1609.hva.2016.01.014

摘要

在气体绝缘组合电器设备(GIS)中,隔离开关操作所产生的特快速瞬态过电压(VFTO)可能会对GIS内部绝缘结构造成影响.为了研究VFTO波形及其规律,建立GIS内部准确的计算模型非常重要.文中分别采用电磁场全波方法(时域有限差分法)和传输线方法,对GIS拐弯段即L型GIS进行了建模与计算.传输线方法由于其方法本身限制,无法考虑拐弯段电磁波畸变产生的影响,而电磁场全波方法从麦克斯韦方程出发,建立三维电磁场模型,能够考虑各种特殊结构情况下电磁场畸变情况.文中利用FDTD即时域有限差分法进行全波求解计算并和传输线方法进行对比,计算结果表明对同一段L型GIS,两种建模方法的却存在较大差异.为了修正传输线方法,通过比较两种方法的计算结果,在传输线模型中增加了L型GIS部分的补偿电容,来表示电磁波在L型GIS结构处的畸变影响.通过对1 000kV及500 kV含有L型拐弯段的GIS管道计算,获得了两种电压等级情况下GIS拐弯段的最佳补偿电容值分别5 pF与7.5 pF.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔翔		181	3796	36.0	53.0
2	吴恒天		3	44	2.0	3.0
3	金银燮		1	0	0.0	0.0