碳掺杂对SiGeC异质结晶体管特性的影响

• 作者: 慈朋亮
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 碳 杂质分布 静态特性 动态特性
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.07.006

摘要

碳杂质浓度对SiGeC异质结晶体管直流和频率特性的影响,实验表明通过在外延层中引入碳杂质可以抑制基区扩展效应.对具有相同碳和锗杂质浓度但是杂质分布不同的SiGeC异质结晶体管进行比较可以发现,采用经过适当设计的SiGe/Si基区杂质分布,可以得到静态特性(β=180,BVCEO=6.4V)和动态特性(fT=28GHz)良好的SiGeC异质结晶体管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	慈朋亮		3	2	1.0	1.0