Ni2 O3掺杂对 SnO2-Zn2 SnO4复合陶瓷电学性质的影响

• 作者: 周锋子 王丹丹 王晓飞 臧国忠
• 来源期刊: 河南科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏陶瓷 微观结构 非线性系数 压敏电压
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TM28
• 字数: 3165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2016.05.002

摘要

采用传统陶瓷工艺制备了 Ni2 O3掺杂的 SnO2-Zn2 SnO4复合陶瓷，并测试了样品的压敏性质和介电频谱。压敏性质测试结果表明：随着 Ni2 O3掺杂量的增加，样品的非线性系数先减小后增大，压敏电压先升高后降低。当掺杂0．45％ mol Ni2 O3时，样品的非线性系数最小值为3．8，压敏电压最高值为63 V ／mm。介电频谱显示：随着测试频率的增加，所有样品的相对介电常数εr 均明显降低。低频下，样品的相对介电常数随着 Ni2 O3掺杂量的增加先减小再增大。当不掺杂 Ni2 O3，测试频率为40 Hz 时，样品的相对介电常数达7000左右，而其介电损耗却为最低值。Ni2 O3掺杂引起 SnO2-Zn2 SnO4复合陶瓷微观结构改变，从而使其压敏性质和介电性质改变。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹丹	河南科技大学物理工程学院	39	154	7.0	10.0
2	王晓飞	河南科技大学物理工程学院	17	11	2.0	2.0
3	周锋子	河南科技大学物理工程学院	6	7	1.0	2.0
4	臧国忠	河南科技大学物理工程学院	10	14	2.0	3.0