面向IGZO-TFT-AMOLED像素电路设计的VTH检测方法研究

• 作者: 尹芊奕 廖聪维 王奥运 胡照文 邓联文 陈蒙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: IGZO TFT AMOLED 阈值电压补偿
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 608-615
• 页数: 8页
• 分类号: TN7
• 字数: 3434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163705.0608

摘要

由于迁移率高、均匀性好、制备成本低等优势，铟镓锌氧化物薄膜晶体管( IGZO TFT)有望促成有源矩阵有机发光显示器件( AMOLED)的大规模量产。但是IGZO TFT存在阈值电压( VTH )漂移的问题，实用的AMOLED像素电路必须对VTH漂移进行补偿以实现较好的显示效果，而VTH的检测是AMOLED像素电路设计中的关键环节。本文系统研究了VTH检测方法，比较了放电法、充电法、偏置电流法补偿VTH的效果，研究了VTH检测时间和TFT寄生电容等参数的影响。研究结果表明：放电法不能精确地补偿负VTH漂移，充电法需要的VTH检测时间最长，偏置电流法能够达到的补偿精度最高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓联文	中南大学物理与电子学院	60	206	7.0	8.0
2	胡照文	中南大学物理与电子学院	28	340	7.0	18.0
3	陈蒙	中南大学物理与电子学院	8	68	3.0	8.0
4	廖聪维	中南大学物理与电子学院	11	17	2.0	4.0
5	王奥运	中南大学物理与电子学院	1	2	1.0	1.0
6	尹芊奕	中南大学物理与电子学院	2	3	1.0	1.0