去除硅片背面金属污染的方法研究

• 作者: 陈菊英
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 金属污染 硅片清洗 ICP-MS FEOL BEOL
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.07.005

摘要

电路的集成度日益提高,单元图形的尺寸日益微化,污染物对器件的影响也愈加突出,以至于洁净表面的制备已成为超亚微米的关键技术.人们普遍对外来污染、硅片的正面污染非常警觉.在生产线上FEOL区间,一些来自上工序的硅片背面污染,会对下工序产生实际的二级污染的影响.寻找实际生产中会对下工序产生背面二级污染影响的源头,并对去除生产线硅片背面金属污染的方法进行了研究,并提出一种行之有效的去除背面金属污染的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈菊英		3	0	0.0	0.0