衬底温度对共溅射法制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响

• 作者: 吴斯泰 姚函妤 李玉芳 李金泽 杨楠楠 沈鸿烈
• 来源期刊: 南京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2ZnSnS4薄膜 共溅射 衬底温度 晶粒生长
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 字数: 3008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16356/j.1005-2615.2016.01.007

摘要

研究了衬底温度对采用Cu2 ZnSnS4靶和Cu靶共溅射制备的Cu2 ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响.采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外-可见近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析.结果表明制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循不同规律.室温衬底条件下制备的Cu2ZnSn4薄膜晶粒生长遵循两步法,导致颗粒尺寸和元素分布不均;而在120～200℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu2ZnSnS4晶粒形成,这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用,促进了Cu2ZnSnS4晶粒的长大与元素的均匀分布.随着衬底温度的升高,Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶性变好,Cu2ZnSnS4薄膜的带隙先升高后减小至1.55 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
2	李玉芳	南京航空航天大学材料科学与技术学院	40	223	9.0	13.0
3	吴斯泰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	3	1	1.0	1.0
4	姚函妤	南京航空航天大学材料科学与技术学院	7	6	1.0	2.0
5	李金泽	南京航空航天大学材料科学与技术学院	9	21	3.0	4.0
6	杨楠楠	南京航空航天大学材料科学与技术学院	3	3	1.0	1.0