VDMOS器件终端结构设计及优化

• 作者: 吴会利 郑莹
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS器件 终端 场限环 场板 击穿电压 电场
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2016.03.008

摘要

击穿电压是VDMOS器件的重要参数之一,器件的耐压能力主要由终端结构的击穿电压决定,但结曲面效应和表面电荷的存在制约着击穿电压的提高.设计的这款400V VDMOS的场限环终端结构,改善了结曲面效应,但表面电场较大,在此基础上,充分利用场板降低表面电场的作用,结合场限环构成场板-场限环终端结构,减少了场限环的数量,节省了16.67％的终端宽度,实现了440.6V的击穿电压.此外,没有增加额外的掩膜或工艺步骤,工艺兼容性好,易于实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴会利	中国电子科技集团公司第四十七研究所	6	11	2.0	3.0
2	郑莹	中国电子科技集团公司第四十七研究所	4	9	1.0	3.0