对向列相液晶反转壁中＋1缺陷处挠曲电效应的理论分析

• 作者: 张志东 张辉 田毅 郑桂丽
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 液晶 挠曲电效应 +1 缺陷 Landau-de Gennes 理论
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: .材料与器件.
• 页码范围: 740-747
• 页数: 8页
• 分类号: O753+.2
• 字数: 4082字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20163108.0740

摘要

基于 Pramoda Kumar 等人文章中关于向列相液晶反转壁中＋1缺陷处挠曲电效应的实验现象，我们利用 Landau-de Gennes 理论给出相应的理论分析。当对弱锚定的平行排列向列相液晶盒施加垂直基板的直流电压，在反转壁中的±1缺陷会发生旋转。对于其中的＋1缺陷，我们给出了外加电场作用下液晶分子的自由能表达式并通过模拟描述指向矢的方位角和极角的变化情况给出相应的缺陷处电场驱动的结构变化。模拟结果给出的挠曲电效应引起的方位角的变化角度与 Pramoda Kumar 等人的实验得到的在＋1缺陷处消光刷的变化情况是一致的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志东	河北工业大学理学院	120	424	10.0	13.0
2	张辉	河北工业大学电子信息工程学院	27	66	4.0	6.0
6	郑桂丽	河北工业大学理学院	9	21	3.0	4.0
7	田毅	河北工业大学理学院	1	3	1.0	1.0