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多类图像传感器模组电离辐射损伤对比研究
多类图像传感器模组电离辐射损伤对比研究
作者:
徐守龙
武钊
罗志平
蔡祥鸣
邹树梁
黄有骏
原文服务方:
原子能科学技术
图像传感器
电离辐射损伤
总剂量效应
剂量率效应
摘要:
为选择能用于γ射线辐照环境且最具有加固潜力的图像传感器模组,对比分析了7类传感器模组辐照前后实时采集明、暗图像的参数,研究了不同类型的模拟图像传感器模组及数字图像传感器模组的抗辐射性能,并讨论了辐射损伤机理。实验结果表明:γ射线对图像传感器模组的损伤及干扰程度与模组类型、图像传感器制作工艺、辐照剂量率及总剂量相关;剂量率造成的干扰与剂量率并非呈单纯的线性关系;镜头透镜的透光率随累积剂量的增大而下降;入射γ射线对采集画面质量的干扰与环境光线强度相关,较弱的真实信号更易被入射光子引入的噪声淹没。以上结果提示,入射γ射线对图像传感器的损伤及干扰主要是由各像素单元内暗电流以及正向脉冲颗粒噪声引起的。经实验分析,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的数字摄像机更适用于γ射线辐射环境中的实时监测,但仍需通过加固手段提高其在辐射环境中工作的可靠性和使用寿命。
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医源性电离辐射
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辐射损伤
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文献信息
篇名
多类图像传感器模组电离辐射损伤对比研究
来源期刊
原子能科学技术
学科
关键词
图像传感器
电离辐射损伤
总剂量效应
剂量率效应
年,卷(期)
2016,(11)
所属期刊栏目
技术及应用
研究方向
页码范围
2092-2100
页数
9页
分类号
TN946.1|TN65|TL99
字数
语种
中文
DOI
10.7538/yzk.2016.50.11.2092
五维指标
传播情况
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节点文献
图像传感器
电离辐射损伤
总剂量效应
剂量率效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子能科学技术
主办单位:
中国原子能科学研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-6931
CN:
11-2044/TL
开本:
大16开
出版地:
北京275信箱65分箱
邮发代号:
创刊时间:
1959-01-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
7198
总下载数(次)
0
总被引数(次)
27955
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