高品质因数SiC PiN二极管的研制

• 作者: 史晶晶 吴佳 杨程 王弋宇
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 PiN二极管 品质因数 刻蚀工艺 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.011

摘要

基于Silvaco仿真得到3 300 V SiC PiN二极管器件优化结构,开展了SiC刻蚀工艺和欧姆接触工艺研发,制备出具有倾角为48°的缓变台面结构和比接触电阻率在10-5Ω.cm2量级的欧姆接触的SiC PiN二极管.所研制出的PiN器件最高反向阻断能力达到4 000 V,在100 A/cm2的正向电流密度下正向导通压降为3.4 V.该器件的品质因数(FOM)达到2 461MW/cm2,目前在国内处于领先水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴佳		2	0	0.0	0.0
2	王弋宇		1	0	0.0	0.0
3	杨程		1	0	0.0	0.0
4	史晶晶		2	0	0.0	0.0