一种无运放高电源抑制比的带隙基准设计

• 作者: 刘俐
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 电源抑制比 带隙基准 PTAT 无运放 温度系数
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2911字
• 语种: 中文

摘要

为满足集成电路中高电源抑制比/低温度系数的要求,设计了一款没有运放的精简的带隙电压电路.相比传统有运放结构,电路芯片面积更小且具有更低的电流损耗.并在0.5μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明,在-40℃～+100℃温度范围内电路的温度系数为17×10-6,电源抑制此PSRR在100kHz以下达到-50 dB,在1kHz以下能达到-80 dB,而整个电路在3.3 V电压下电流损耗仅为24 μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俐		2	4	1.0	2.0