含铅GaSb基半导体的热电输运特性

• 作者: 崔教林 应鹏展 张钦祥 王鸿翔 颜艳明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料 GaSb基半导体 结构缺陷 声电输运特性
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 491-496
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 4352字
• 语种: 中文

摘要

GaSb是Ⅲ-Ⅴ族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用.研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pbsb-及施主缺陷PbCa+,但本征缺陷VGa3-和SbGa2+浓度减少.这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能.例如,掺杂0.25％ Pb后,室温载流子浓度由未掺杂时的～5.04 ×1023m-3突增到9.50×1025 m-3;在867 K时,电导率由0.56×104 Ω-1·m-1增加到4.82×104 Ω-1·m-1;晶格热导率由4.63 W· K-1·m-1下降到3.41 W· K-1·m-1.最大热电优值(ZT)为0.21,约是未掺杂GaSb最大ZT值的10倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	应鹏展	中国矿业大学材料科学与工程学院	36	256	9.0	15.0
2	崔教林	宁波工程学院材料学院	20	75	3.0	8.0
3	张钦祥	黑龙江工业学院大功率电牵引采煤机重点实验室	4	5	2.0	2.0
4	王鸿翔	黑龙江工业学院大功率电牵引采煤机重点实验室	2	2	1.0	1.0
8	颜艳明	中国矿业大学材料科学与工程学院	4	1	1.0	1.0