碳纳米管场发射烧毁机理研究

• 作者: 李克训 李哲 李旭峰 贾琨 赵亚丽 鞠军燕 马江将 魏学红
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 场发射 接触电阻 烧毁现象
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 643-648
• 分类号: TQ016.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.06.07

摘要

在碳纳米管场发射过程中,碳纳米管烧毁现象一直是影响碳纳米管场发射能力及稳定性的重要因素.目前,对碳纳米管烧毁机理研究较少.本文采用化学气相沉积原位生长技术制备了不同形貌的碳纳米管阵列.通过对不同形貌的碳纳米管场发射测试过程及碳纳米管烧毁前后形貌的研究,得出碳纳米管烧毁机理主要有三种.一是碳纳米管高度不均匀和碳纳米管本身的缺陷等原因引起了电场局域现象,这种局域场强使得碳纳米管局域温度过高而引起碳纳米管烧毁;二是碳纳米管吸附和脱附造成碳纳米管烧毁;三是碳纳米管与基片间存在较高的接触电阻而产生较高的焦耳热,使得碳纳米管烧毁.本文不仅给出了碳纳米管烧毁机理,还给出了相应的解决方案.这对碳纳米管场发射阴极的研究具有一定的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏学红	山西大学化学与化工学院	41	67	4.0	6.0
2	李旭峰	太原科技大学应用科学学院	7	3	1.0	1.0
3	贾琨		4	10	1.0	3.0
4	李哲		1	1	1.0	1.0
5	马江将		1	1	1.0	1.0
6	李克训		3	10	1.0	3.0
7	鞠军燕		1	1	1.0	1.0
8	赵亚丽		2	2	1.0	1.0