基于D-S效应的太赫兹源研究

• 作者: 余厉阳 余志平 孟凡亮 文进才 林滑
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: D-S效应 等离子波 MOSFET 太赫兹源
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 62-65
• 语种: 中文
• DOI: 10.14183/j.cnki.1005-6122.201605015

摘要

基于Dyakonov-Shur效应(D-S效应)利用MOSFET可构建太赫兹源.研究表明MOSFET沟道内的1 mV信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似.当MOSFET外接5V的偏置电压源时,输出频率为2.15 THz、峰值为2 mV的等离子信号.通过调节偏置电压(1～20 V)可以使输出信号在0.96～ 4.30 THz范围内调频.此外,MOSFET在5V的偏置电压和5A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大.受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20 V,电压增益最大可达到86 dB,最大输出功率为200W.在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
2	孟凡亮	杭州电子科技大学电子信息学院	3	12	1.0	3.0
3	余厉阳	杭州电子科技大学电子信息学院	12	33	4.0	5.0
4	文进才	杭州电子科技大学电子信息学院	12	37	4.0	5.0
5	林滑	杭州电子科技大学电子信息学院	3	4	1.0	1.0