原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺

• 作者: 卢维尔 夏洋 张思敏 程嵩
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 原子层沉积(ALD) ZnO薄膜 电学性质可调 晶型 表面形貌
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 605-609,633
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.09.007

摘要

采用热型原子层沉积(T-ALD)和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级(10-3～103 Ω·cm)范围内变化的ZnO薄膜.采用去离子水作氧源的T-ALD制备的ZnO薄膜载流子浓度高达1019/cm3量级,载流子迁移率较高,薄膜电阻率较低,适用于透明导电薄膜;采用氧等离子体作为氧源PEALD制备的薄膜载流子浓度达到1017/cm3量级,适用于薄膜晶体管.还讨论了不同生长工艺条件对薄膜晶型和表面形貌的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢维尔		6	4	2.0	2.0
3	夏洋		3	2	1.0	1.0
4	张思敏		1	2	1.0	1.0
5	程嵩		1	2	1.0	1.0